高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代ToggleMRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。

對于Everspin而言，ToggleMRAM的成功正在幫助推動其在其他產(chǎn)品領(lǐng)域的雄心壯志，并且最近宣布了其新的32MbToggleMRAM，其容量是其當(dāng)前解決方案的兩倍。Everspin表示，它旨在支持需要更高密度選項的關(guān)鍵應(yīng)用，例如在嵌入式系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中存儲配置，設(shè)置和數(shù)據(jù)記錄，以及預(yù)測5G網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動的設(shè)備需求。

那么，為什么不讓客戶使用兩個16Mb設(shè)備呢？

新的更高容量的ToggleMRAM可以滿足客戶的需求，這些客戶在板上放置了16兆，并在此過程中增加了復(fù)雜性并占用了更多空間。ToggleMRAM提供了簡便性，特別是當(dāng)它替換SRAM和EEPROM的組合時，將其描述為“kluge修復(fù)程序”，尤其是在SRAM中添加了化學(xué)電池之后。從（設(shè)計）簡單性以及設(shè)備的長期可靠性的角度來看，真的沒有可比性。

Everspin的新型32MbToggleMRAM旨在滿足嵌入式系統(tǒng)，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中對配置，設(shè)置和數(shù)據(jù)記錄的不斷增長的存儲要求。

盡管5G仍在加速發(fā)展并仍處于測試模式，但Everspin希望它在未來兩年內(nèi)從連接的設(shè)備的角度來看爆炸式增長，并且推動這些設(shè)備的數(shù)據(jù)和代碼容量需求。僅這些設(shè)備的數(shù)據(jù)流就需要越來越多的持久性以實現(xiàn)斷電和數(shù)據(jù)記錄。

Everspin的最新ToggleMRAM已在游戲，工業(yè)，軍事和航空航天市場與客戶一起采樣，所有這些產(chǎn)品都利用了該產(chǎn)品的無限循環(huán)耐久性，可在-40C至+125C的各種溫度范圍內(nèi)進(jìn)行讀寫。

除了容量更高之外，32MbToggleMRAM還保持了EVERSPIN所有ToggleMRAM設(shè)備中可用的快速讀寫訪問速度和20年的數(shù)據(jù)保留，該公司還發(fā)布了新的2Mb和8Mb切換數(shù)據(jù)容量要求較低的客戶，以補(bǔ)充現(xiàn)有的1Mb，4Mb和16Mb設(shè)備，這些設(shè)備均具有串行和并行接口以及幾種流行的封裝選項。

許多行業(yè)談?wù)摱紘@高密度MRAM中的STT進(jìn)行，而忘記了Toggle已經(jīng)存在了一段時間。Everspin于2006年首次投入生產(chǎn)，對于擁有如此龐大和多樣化客戶群的公司而言，Everspin具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。它為我們提供了在更先進(jìn)，更高密度的STT上進(jìn)行研發(fā)的收入。

當(dāng)今Toggle MRAM的主要用途是在需要維護(hù)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)中替換SRAM電池組合，即使電源關(guān)閉或出現(xiàn)故障也是如此。在暴露于大量輻射的應(yīng)用中，特別是在衛(wèi)星中，它也是SRAM或NOR閃存的絕佳替代品。輻射消除了當(dāng)今主流技術(shù)的負(fù)擔(dān)。

STT-MRAM的開發(fā)是為了使MRAM的擴(kuò)展比Toggle以往任何時候都小。Everspin的低密度舊零件是使用130納米ToggleMRAM制造的，而該公司的較新的90納米零件則使用STT。最新的ToggleMRAM產(chǎn)品的主要值得注意的更新是密度。

MRAM引起了代工廠的極大興趣，因為它們無法制造小于28nm的NOR閃存，并且客戶正在尋找替代品，而Everspin正在幫助這些代工廠在其標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝上推出MRAM。使用MRAM制作的芯片越多，MRAM的生產(chǎn)效率就越高，而其價格卻越便宜。這一切都是靠自己為生的，因為它越便宜，它就會賣出更多。

盡管STT-MRAM的規(guī)?？梢员萒oggle小，并且持續(xù)的工藝縮減將使MRAM的成本降到SRAM，NOR和DRAM以下，而NAND可能仍在很長一段時間內(nèi)比MRAM便宜。同時Everspin不僅是領(lǐng)先的ToggleMRAM播放器，該公司還是唯一一家銷售分立的，獨(dú)立的MRAM芯片的公司。