12 月 31 日消息，據(jù) ElectronicsWeekly 報(bào)道，東京電子前首席執(zhí)行官 、日本政府芯片行業(yè)咨詢小組的成員 Tetsuro (Terry) Higashi 日前表示，日本必須在十年內(nèi)實(shí)現(xiàn) 2nm 量產(chǎn)。

Higashi 稱，日本應(yīng)該在下一個(gè)財(cái)政年度提供稅收減免，以便在未來十年內(nèi)產(chǎn)生 880 億美元的投資，以重振國內(nèi)的芯片制造。

日本政府上周批準(zhǔn)了 68 億美元的補(bǔ)充支出，Higashi 稱：“我預(yù)計(jì)這種資金水平至少在未來幾年內(nèi)會(huì)持續(xù)下去，如果沒有政府的初始投資，將無法使私營公司投入資金。在事情確立之前，政府將不得不發(fā)揮核心作用?！?/p>

據(jù)了解，日本今年將振興其芯片產(chǎn)業(yè)作為一個(gè)國家項(xiàng)目，旨在到 2030 年將國內(nèi)半導(dǎo)體公司的年收入提高大約三倍，達(dá)到 13 萬億日元（約 7202 億元人民幣）。

Higashi 說，應(yīng)該考慮對(duì)研發(fā)進(jìn)行減稅，并削減芯片制造商的水和公用設(shè)施成本，“如果日本不能確保其工業(yè)基礎(chǔ)，我們將不得不依賴他人的芯片知識(shí)產(chǎn)權(quán)，他們將奪走所有的附加值，各個(gè)行業(yè)都需要注意這種可能性。”

日經(jīng)新聞的報(bào)道也指出，日本政府將提供資金支持、協(xié)助日本企業(yè)研發(fā) 2nm 以后的次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)。為實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)，他們除了繼續(xù)保持和臺(tái)積電、英特爾等半導(dǎo)體大廠進(jìn)行大范圍的意見交換來進(jìn)行研發(fā)外，他們還將與佳能、東電、SCREEN 等本土設(shè)備巨頭攜手，重振日本在先進(jìn)研發(fā)方面的實(shí)力。