據中國科技大學消息，該校郭光燦院士團隊在硅基半導體自旋量子比特操控研究中取得重要進展，實現(xiàn)了硅基自旋量子比特的超快操控，自旋翻轉速率超過540MHz，是目前國際上已報道的最高值。

研究成果于1月11日在線發(fā)表在國際知名期刊《自然·通訊》上。

硅基半導體自旋量子比特以長量子退相干時間和高操控保真度、與現(xiàn)代半導體工藝技術兼容的高可擴展性，成為量子計算研究的核心方向之一。

高操控保真度要求比特在擁有較長的量子退相干時間的同時，具備更快的操控速率。傳統(tǒng)方案利用電子自旋共振方式實現(xiàn)自旋比特翻轉，比特操控速率較慢。

研究人員發(fā)現(xiàn)，利用電偶極自旋共振，可以實現(xiàn)更快速率的自旋比特操控。

電偶極自旋共振的一種方案是通過嵌入器件中的微磁體結構所產生的“人造自旋軌道耦合”來實現(xiàn)，但這會使自旋量子比特感受到更強的電荷噪聲，從而降低自旋量子比特的退相干時間，同時降低自旋量子比特陣列的平均操控保真度，阻礙硅基自旋量子比特單元的二維擴展。

另一種有效方案是使用材料中天然存在的自旋軌道耦合，進行自旋量子比特操控。

硅基鍺量子點中的空穴載流子處于P軌道態(tài)，因而天然具有較強的本征自旋軌道耦合效應，以及較弱的超精細相互作用。

利用電偶極自旋共振技術，僅通過單個交變電場即可實現(xiàn)對空穴自旋量子比特的全電學控制，大大簡化了量子比特的制備工藝，有利于實現(xiàn)硅基自旋量子比特單元的二維擴展。

自旋軌道耦合場的方向會影響自旋比特操控速率及比特初始化與讀取的保真度，因此，測量并確定自旋軌道耦合場的方向，是實現(xiàn)高保真度自旋量子比特的首要任務。

中科大研究組在2021年首次在硅基鍺量子線空穴量子點中實現(xiàn)了朗道g因子張量和自旋軌道耦合場方向的測量與調控。

在此基礎上，李海歐等人進一步優(yōu)化器件性能，在耦合強度高度可調的雙量子點中，完成了自旋量子比特的泡利自旋阻塞讀取，觀測到了多能級的電偶極自旋共振譜。

通過調節(jié)和選擇共振譜中所展示的不同自旋翻轉模式，實現(xiàn)了自旋翻轉速率超過540MHz的自旋量子比特超快操控。

研究人員通過建模分析，揭示了超快自旋量子比特操控速率的主要貢獻來自于該體系的強自旋軌道耦合效應（超短的自旋軌道耦合長度）。

研究結果表明，硅基鍺空穴自旋量子比特是實現(xiàn)全電控量子比特操控與擴展的重要候選體系，為實現(xiàn)硅基半導體量子計算奠定了重要研究基礎。

圖解：(a)硅基鍺量子線空穴雙量子點和自旋比特操控示意圖，(b)自旋比特翻轉速率隨微波功率增加而增加， (c)微波功率為9dBm時，自旋比特操控速率可達542MHz